[发明专利]基于NiO/GaN p-n结自供电紫外探测器及制备方法

摘要

本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种基于NiO/GaNp‑n结自供电紫外探测器及制备方法，探测器包括衬底、位于所述衬底上方的n‑GaN层、位于所述n‑GaN层背离所述衬底一侧的p‑NiO层、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述p‑NiO层背离所述n‑GaN层一侧，所述第二电极与所述n‑GaN层抵接，所述n‑GaN层和所述p‑NiO层形成NiO/GaNp‑n结。本发明制备的NiO/GaNp‑n结自供电紫外探测器在紫外杀菌剂量检测、导弹跟踪、电晕监测等军用和民用领域都有广泛的应用前景，零功耗探测紫外光信号，具有良好的稳定性与自供电能力使得其可以在恶劣环境中长期工作。