[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110329856.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112713237B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴盛凯;蔡敏豪;王勇涛;罗传鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/33 | 分类号： | H01L41/33;H01L41/331;H01L41/083 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。通过在压电层的表面上形成第一金属材料层，以使得质量负载层能够利用剥离工艺先于上电极层制备，从而在制备质量负载层的过程中即可以对质量负载层进行稳定的厚度检测，避免受到上电极层的干扰。并且，基于第一金属材料层的存在，也进一步实现了金属环也能够先于上电极层制备，大大提高了器件的制备工艺的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路制造（绍兴）有限公司，未经中芯集成电路制造（绍兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110329856.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
