[发明专利]三维存储器件及其制造方法、以及三维存储器有效
| 申请号： | 202110330026.2 | 申请日： | 2021-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112802855B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 胡思平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器件及其制造方法、以及三维存储器。三维存储器件包括第一存储单元和依次堆叠于第一存储单元上的至少一个第二存储单元。每一存储单元包括第一组触点及堆叠设置且相互电连接的存储阵列器件和CMOS器件，第一组触点设于存储阵列器件背离CMOS器件的一侧并与CMOS器件电连接。第二存储单元还包括设于CMOS器件背离存储阵列器件的一侧并与CMOS器件电连接的第二组触点。第一存储单元的存储阵列器件与相邻的第二存储单元的CMOS器件接合，且第一存储单元的第一组触点与相邻的第二存储单元的第二组触点对应电连接。通过将至少两个存储单元堆叠设置，使得所述三维存储器件存储密度高，而且能提高空间利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制造 方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
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