[发明专利]一种调整SRAM Beta比例的方法在审
| 申请号： | 202110330232.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113140515A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调整SRAM Beta比例的方法，提供基底，在基底上形成多个相互间隔的多晶硅结构；在相邻的多晶硅结构之间的基底中以斜角注入Halo，在多晶硅结构两侧的基底中形成Halo注入区；同时在Halo注入区上方的所述基底中形成LDD区；在多晶硅结构两侧的基底中分别形成源漏极；源漏极较所述Halo注入区和LDD区远离多晶硅结构。本发明从优化SRAM本身性能出发，不通过外围电路，不增加额外光罩，利用注入阴影效应，通过引入大倾斜角halo注入，改变两个SRAM器件对多晶硅CD的器件速度敏感系数，利用不同值的敏感系数，实现对SRAM的下拉管和控制管器件速度不同方向的调试来分别调整下拉管和控制管的两种器件驱动电流，达到调整beta比例并优化读操作器件窗口的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 sram beta 比例 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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