[发明专利]一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法有效
| 申请号： | 202110330666.3 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113111498B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘川;柳贤伟;陈国苇 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法，建模方法根据被选择偏栅晶体管的材料与结构，获取晶体管的工艺参数，并进一步计算得到模型所需参数；基于工艺参数和计算参数，对偏栅晶体管建立待拟合模型；调取被选择偏栅晶体管的栅极电压及其对应的漏极电流，以得到偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系；由偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系提取所述偏栅晶体管的参数；提取得到的参数代入待拟合模型，用待拟合模型拟合偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系，得到待拟合模型的全部参数；将之前所有参数代入晶体管的模型中，完成建立偏栅晶体管的模型。本发明能够建立准确的偏栅晶体管模型，以提高电路仿真的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 进行 建模 方法 电路 仿真 | ||
【主权项】：
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