[发明专利]取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池在审
| 申请号： | 202110332393.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113088882A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁广兴;陈国杰;林锦鸿;陈烁;郑壮豪 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/0392;H01L31/072 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 朱阳波;吴志益 |
| 地址： | 518061 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池，包括：将硒化锑和衬底放置于空间升华炉内，通过近空间升华法在所述衬底上沉积硒化锑，得到硒化锑前驱膜；将硒源和所述硒化锑前驱膜放置于双温区管式炉中，通过硒源对所述硒化锑前驱膜进行硒化退火，得到沉积于所述衬底上的硒化锑薄膜。本发明通过具有择优取向的硒化锑前驱膜取向诱导生长制备硒化锑薄膜，制备出的硒化锑薄膜为具有择优取向大晶粒生长的薄膜，将该硒化锑薄膜应用于硒化锑薄膜太阳电池，可以克服现有强各异性硒化锑薄膜导致的载流子产生及传输受限问题，减少硒化锑薄膜太阳电池开路电压亏损，提高硒化锑薄膜太阳电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 诱导 生长 硒化锑 薄膜 及其 制备 方法 太阳电池 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110332393.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
