[发明专利]基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，包括上电极层、下电极层、功能层，功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中，所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成；所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3)，介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比，本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下，解决了交叉集成阵列中的串扰问题；介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能，显示出良好的非线性特性，其非线性度可以达到105，微缩性极强，工艺简单，节约成本。