[发明专利]一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法有效

专利信息
申请号: 202110334082.3 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113176293B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 冯士维;李轩;何鑫;白昆;胡朝旭 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法,属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括:测温芯片和被测样品,其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端,以及由多晶硅图形的微加热器结构;被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成,表面经过光刻等工艺处理,形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片,将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式,通过测温芯片采集温度响应曲线,对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解,直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致,即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
搜索关键词: 一种 采用 点阵 接触 方式 测量 异质结 界面 热导率 结构 方法
【主权项】:
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