[发明专利]一种大功率高电压晶体管的实现方法在审
| 申请号： | 202110334542.2 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113053755A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 林和;牛崇实;洪学天;黄宏嘉;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/66;H01L29/78;G06F17/16 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 田春龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种大功率高电压晶体管的实现方法，包括：在n‑源区与n+源区的氧化物的表面形成外延硅结构，通过光刻法形成p+导电类型的保护区域的图案；离子注入掺杂硼，扩散注入的杂质，通过光刻定义有源区的图形，形成氧化区；蚀刻氧化硅，生长栅极氧化物，淀积多晶硅层，通过光刻法形成栅极图案；蚀刻多晶硅层，通过硼离子掺杂和硼扩散形成p沟道区，形成n+源极区，形成层间氧化物，形成与栅极和源极的接触区；在淀积层间氧化物之前，对n+源区进行退火，并对n+源极与栅极氧化层、栅极多晶硅层与层间氧化物的交界区氧化至最佳厚度；淀积层间氧化物、金属层；进行检测，判断是否合格。便于提高栅极氧化物的击穿电压并降低栅极‑源极击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电压 晶体管 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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