[发明专利]一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法在审
| 申请号： | 202110335576.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097415A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冯军龙;乔辉;叶成;祖伟;刘胜芳;赵峥涛 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张永生 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法，其结构包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。增透方法，包括以下步骤：硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；在封装层上覆盖增透AR玻璃。在盖板玻璃上形成抗反射膜层，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率将达到98％；从而使硅基OLED微显示器件具有低反射、高透过的优异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示 芯片 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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