[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110335578.2 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113690142A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林含谕;黄治融;董彦佃;沈泽民;颜甫庭;詹贵麟;林耕竹;林立德;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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