[发明专利]拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列设计方法在审
| 申请号： | 202110336150.X | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113050026A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 秦国栋;江雅东;李鹏;刘高高;周梦伟 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01S3/14 | 分类号： | G01S3/14 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列设计方法，主要用于解决现有技术中结构性运动稀疏阵列在进行孔径扩展时难以同步地提升阵列的自由度的问题。本发明的步骤包括：确定两个拓展阵元间距移位子阵的阵元数；建立具有拓展阵元间距移位子阵的结构性稀疏阵列；获取具有拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列结构。本发明所设计的结构性运动稀疏阵列只需要在满合成差分阵列的条件下适当增大阵元间距扩展系数即可实现自由度的同步扩展，实现了低数据量、低互耦与优秀估计性能的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 拓展 间距 移位 结构性 运动 稀疏 阵列 设计 方法 | ||
【主权项】：
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