[发明专利]一种集成整流器的平面MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202110336377.4 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113257917B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 肖添;李孝权;刘勇;胡镜影;杨婵;王盛;谭磊;王飞;冉明 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成整流器的平面MOSFET及其制造方法，平面MOSFET包括第一导电类型外延层(1)、隔离环(2)、厚氧化层(3)、第一阱区(4)、第一源区(5)、栅氧层(6)、多晶电极层(7)、介质层(8)、第二阱区(9)、金属层(10)；方法包括分别形成第一导电类型外延层(1)、隔离环(2)、厚氧化层(3)、第一阱区(4)、第一源区(5)、栅氧层(6)、多晶电极层(7)、介质层(8)、第二阱区(9)、金属层(10)的步骤。本发明相比于现有集成肖特基二极管，其体二极管正向压降更低，并且具有更好的高温工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 整流器 平面 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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