[发明专利]一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法在审
| 申请号： | 202110336380.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113239602A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;鲍一豪;王树龙;陈树鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/25 | 分类号： | G06F30/25;G06F111/08;G06F119/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法，包括：建立器件模型；根据器件模型建立SRAM电路；对SRAM电路的器件模型沿长度方向进行均匀划分以建立复合敏感体；获取SRAM电路在复合敏感体的不同入射位置和不同入射深度使SRAM电路发生翻转的LET阈值；基于LET阈值，根据预设数量的入射粒子入射复合敏感体得到使SRAM电路发生翻转的粒子数占比；根据使SRAM电路发生翻转的粒子数占比得到器件模型在不同入射能量下的翻转截面分布传递曲线。本发明进行器件单粒子蒙特卡洛仿真并且测定翻转截面的方法，模拟粒子间的相互作用，并计算能量吸收与碰撞等核物理过程，完成粒子随机过程仿真，通过进行多粒子轰击，完成随机过程的翻转截面统计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 蒙特卡洛 方法 sram 粒子 翻转 截面 预测 | ||
【主权项】：
暂无信息
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