[发明专利]一种单芯片三维电场传感器有效
| 申请号： | 202110336557.2 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113109636B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 夏善红;彭思敏;雷虎成;刘俊;刘向明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单芯片微型三维电场传感器，以静电驱动和压电驱动交替进行的方式实现电场敏感单元电极的水平振动和垂直振动，可实现对X、Y、Z三维电场的测量。传感器主要包括：衬底、固定端、感应电极、屏蔽电极、静电驱动结构、压电驱动结构、绝缘层；两组电场敏感单元在同一平面上相互垂直放置，各自采用轴对称设计。通过静电驱动结构，使两组屏蔽电极分别相对于各自的感应电极水平振动，分别测量垂直于对称轴的面内X、Y电场分量；在压电驱动下，感应电极相对于屏蔽电极垂直振动，测量垂直于电场敏感单元的Z电场分量。本发明可实现三维电场测量，有利于传感器的微型化和集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 三维 电场 传感器 | ||
【主权项】：
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