[发明专利]一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管有效
申请号: | 202110336876.3 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113130802B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 王坚;张斌斌;麦超晃;李妙姿;李海华 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈智英 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于发光二极管的技术领域,公开了一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管。方法:1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液;2)将前驱体溶液进行旋涂,在旋涂过程中滴加反溶剂,除去溶剂后,得到蓝光钙钛矿薄膜。所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管,从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极;发光层为所述蓝光钙钛矿薄膜。本发明的方法能够增加蓝光钙钛矿的激子结合能,改善薄膜形貌,同时抑制低维相(n=1)的形成,提高准二维蓝光钙钛矿的发光效率。本发明的蓝光钙钛矿薄膜用于发光二极管,实现蓝光发射,并提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝光钙钛矿 薄膜 及其 制备 倒装 二维 发光二极管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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