[发明专利]一种在金红石型氧化钛（110）表面制备氧空位对缺陷的方法有效
| 申请号： | 202110338459.2 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115140765B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 赵祥云;王昊晨;马志博;江凌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;C30B29/16;C30B33/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于表面化学技术领域，是一种在超高真空腔体里制备氧空位对为优势缺陷的金红石型氧化钛(110)表面的技术方法。往常在超高真空环境下研究模型光催化剂金红石型氧化钛的还原性(110)表面时，表面主要的缺陷是氧空位。当两个氧空位相邻时，形成化学性质更加活泼的缺陷结构即为氧空位对。氧空位对的性质和催化性能对于厘清光催化的机理研究有重要意义，值得仔细探索。我们发现，使用266nm的紫外激光照射还原性氧化钛(110)表面可以使得氧空位迁移形成氧空位对，甚至可以形成氧空位对为优势缺陷的表面，有利于对氧空位对的性质性能展开深入研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金红石 氧化 110 表面 制备 空位 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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