[发明专利]一种图案化方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110338758.6 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097142B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 宛强;夏军;占康澍;李森;刘涛;徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 赵新龙;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种图案化方法及半导体结构，方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括相邻的存储区和周边电路区；在衬底上形成具有多个第一硬掩膜的图形转移层，第一硬掩膜沿第一方向延伸，且彼此间隔设置；在图形转移层上形成阻挡层；在阻挡层上形成多个沿第二方向延伸的第二硬掩膜，第二硬掩膜彼此间隔设置；第二硬掩膜位于存储区上，且在靠近周边电路区的位置具有结构缺陷；在阻挡层上形成第一缓冲层，第一缓冲层填充具有结构缺陷的第二硬掩膜，且第一缓冲层的正投影与周边电路区及部分存储区重合；以第一缓冲层和未被第一缓冲层填充的第二硬掩膜作为掩膜，图案化阻挡层和图形转移层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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