[发明专利]一种透明导电薄膜的制备方法在审
申请号: | 202110338967.0 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN112968076A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 韩灿;米罗·泽曼;奥兰多·伊莎贝拉 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人: | 彭随丽 |
地址: | 518055 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种透明导电薄膜制备方法,所述方法包括:提供一衬底,所述衬底上沉积含氢薄膜硅;室温下在所述含氢薄膜硅上形成晶态的透明导电氧化物层;含氧氛围下对所述晶态的透明导电氧化物层进行热处理。本发明使透明导电氧化物层沉积与氢原子扩散分步进行,采用含氧环境后退火的方法,抵消氢原子对透明导电氧化物层内载流子浓度的贡献,避免透明导电氧化物层内自由载流子浓度升高而引起电池光学性能下降;同时提升了载流子迁移率,改善了透明导电薄膜的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的