[发明专利]一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 202110339323.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113078050B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;张晓洪;胡新星;仇成功;袁松;史田超;史文华 | 申请（专利权）人： | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/67 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对正轴C面4H‑SiC衬底进行刻蚀、在正轴C面4H‑SiC衬底上生长N型4H‑SiC缓冲层、在4H‑SiC缓冲层上生长N型4H‑SiC外延层、由N型4H‑SiC外延层的表面向下刻蚀沟槽、通入含氯的硅源气体、碳源、HCl和B |
||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 结构 沟槽 填充 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽长飞先进半导体有限公司，未经安徽长飞先进半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110339323.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电流互感电路和电流互感器
- 下一篇：测定炼焦煤流动度用金属浴电加热炉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
