[发明专利]模封方法及半导体封装结构在审
申请号: | 202110339829.4 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113140583A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张永兴;褚福堂;黄文彬 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开提供了模封方法及半导体封装结构,其中,半导体封装结构包括衬底、至少两个设置于衬底上的裸晶片和封装层,每个裸晶片设置于衬底上表面,裸晶片上表面设置有玻璃,而封装层包覆各裸晶片及其上表面设置的玻璃,各裸晶片上表面设置的玻璃的上表面暴露在封装层外,且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离衬底上表面的高度不同。而为了模封得到上述半导体封装结构的两种模封方法利用胶带或者保护层以平均分布各玻璃上表面的高度差异带来的压力不平均,可以减少或避免现有CIS产品中可能存在的脱模或玻璃破裂问题,进而提高CIS产品良率。 | ||
搜索关键词: | 方法 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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