[发明专利]键合Si衬底及其制备方法及制备Si/3C-SiC异质结构和3C-SiC薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110340009.7 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113078047A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 郗修臻;袁松;左万胜;刘洋;钮应喜;史文华;朱继红;张晓洪;单卫平 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/165 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种键合Si衬底及其制备方法及制备Si/3C‑SiC异质结构和3C‑SiC薄膜的方法，通过对两个Si衬底分别进行表面刻蚀、表面下25‑35μm深度处注入H |
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| 搜索关键词： | si 衬底 及其 制备 方法 sic 结构 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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