[发明专利]超导高速存储器在审

专利信息
申请号: 202110340321.6 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN112949229A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 任洁;许婉宁;应利良;王镇 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G06F30/32 分类号: G06F30/32
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 施婷婷
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种超导高速存储器,包括:输入缓冲阵列,用于并行暂存输入数据;存储阵列,连接于输入缓冲阵列的输出端,包括多个存储块,用于并行存储输入缓冲阵列输出的数据;输出缓冲阵列,连接于存储阵列的输出端,用于并行暂存存储阵列输出的数据;地址译码控制电路,连接输入缓冲阵列、存储阵列及输出缓冲阵列,分别为输入缓冲阵列及第二缓冲阵列提供有效信号,为存储阵列提供置位信号及复位信号。本发明的超导高速存储器架构简单,可以对并行数据进行存储,拓展了目前应用超导电路实现的高速存储器只能存储串行数据的现状,且无需加入额外的并串转换电路,简化了设计、缩短了存取时间、也降低了片上硬件资源的消耗。
搜索关键词: 超导 高速 存储器
【主权项】:
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