[发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110340669.5 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097143B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宛强;夏军;占康澍;李森;徐朋辉;刘涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法，所述掩膜结构的制备方法包括：将整体结构分为两个区域，对阵列区域和外围区域进行负光阻显影，可以规避因不同密度图案造成的凹陷和由于材料选择比差异引起的负载效应，优化不同图案密度区域，制备得到保留的第一图形化光刻胶层的上表面及保留的第三介质层的上表面均与第一掩膜图形的上表面相平齐的掩膜结构，以将掩膜结构的图形特征准确转移，提高图案化工艺的精准度，确保形成的半导体结构的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
