[发明专利]晶边缺陷自动对焦系统及方法和计算机存储介质有效

专利信息
申请号: 202110340985.2 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113079318B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 王高宇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H04N23/67 分类号: H04N23/67;H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种晶边缺陷自动对焦系统及方法和计算机存储介质,所述晶边缺陷自动对焦方法包括:获取一晶圆的晶边缺陷信息,所述晶边缺陷信息包括多个缺陷位置;选取其中一个缺陷位置为基点,对所述基点进行拍照,拍照距离为H1,所述拍照距离为光学摄像头到基点的垂直距离;依次对除基点外的其他缺陷位置执行如下操作:按照拍照距离Hi对第i个缺陷位置进行拍照;直至完成对所有所述缺陷的拍照;其中所述拍照距离Hi=H1‑ΔH,所述ΔH为所述基点的高度与所述第i个缺陷位置的高度之差。本发明的技术方案实现了对晶边缺陷的自动对焦,提高了对晶边缺陷的拍摄效率。
搜索关键词: 缺陷 自动 对焦 系统 方法 计算机 存储 介质
【主权项】:
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