[发明专利]一种MEMS硅压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110342655.7 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113063530A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡宗达;彭鹏;李奇思;张坤;宋义雄 | 申请（专利权）人： | 成都凯天电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;H05B3/02;H05B3/06;H05B3/20;B81B7/02 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 尹新路 |
| 地址： | 610091 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种MEMS硅压阻式压力传感器及其制备方法，通过设置硅衬底层、发热Pt电阻层、金属Al热沉结构层和压阻器件层，为MEMS硅压阻芯片提供一个稳定的温度场，利用恒温温度场系统将MEMS敏感元件与外界温度场相隔离，从而在本质上达到解决MEMS压阻式压力传感器的温漂过大的问题。通过本发明可以实现温度隔离，使得传感器的测量更精准，且能适用于更大温度范围的场景，并减小了温度漂移等带来的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 硅压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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