[发明专利]MOS器件闪烁噪声模型及提取方法在审
| 申请号： | 202110343014.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113095037A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 周艳;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS器件闪烁噪声模型及提取方法，提取方法包括：设计不同尺寸的MOS器件结构，并根据各个MOS器件的尺寸将所有MOS器件划分为第一MOS器件和第二MOS器件；测量不同尺寸的MOS器件的闪烁噪声数据；建立基本的闪烁噪声模型；对所述第一MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合；建立引入与器件宽度相关的修正函数的闪烁噪声模型；对所述第二MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合；对所述第二MOS器件的闪烁噪声模型进行验证。本发明在原有噪声模型的基础上，通过引入与MOS器件长度和宽度相关的修正函数，提高了小尺寸MOS器件闪烁噪声模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下器件的实际噪声特性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 闪烁 噪声 模型 提取 方法 | ||
【主权项】：
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