[发明专利]多层存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110343185.6 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113053440B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金允哲;吴振勇;阮庆仲;梅文龙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多层存储器及其制作方法。多层存储器包括：多个存储层的堆叠结构，存储层具有第一边缘区域和第二边缘区域；第一电路层，位于堆叠结构的第一端面且具有字线驱动器；第二电路层位于所述堆叠结构的第二端面，所述第二端面与所述第一端面相对设置；字线驱动器通过驱动线与存储层连接；第m个存储层的驱动线，包括：第一连线，所述第一连线的第一端与第m个存储层的第一边缘区域和所述字线驱动器连接；第二连线，位于所述第二电路层上；所述第二连线的第一端与所述第一连线的第二端连接，所述第二连线的第二端与第三连线的第一端连接；所述第三连线，所述第三连线的第二端与第m个所述存储层的第二边缘区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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