[发明专利]一种量子级联激光器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110344373.0 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097861B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杨科;刘俊岐;刘峰奇;梁平;胡颖;张锦川;翟慎强;卓宁;王利军;刘舒曼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 级联 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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