[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 202110344768.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097359B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 毕京锋;范伟宏;高默然;邬元杰;张成军;曾家明 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光元件，依次包括：衬底、n型氮化物半导体层、量子阱层以及p型氮化物半导体层，所述半导体发光元件还包括调控层，其位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间，或者位于所述量子阱层与p型氮化物半导体层之间。即通过在所述半导体发光元件中增加一层调控层，能够调控V‑pits的开启和密度，增加空穴注入和载流子辐射复合效率，以及增加电流扩展能力，进而提升所述半导体发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
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