[发明专利]一种新型准二维硒掺杂含碲超导材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110345750.2 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113371686A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 罗惠霞;何溢懿;佳玛;曾令勇;王晓鹏;黄彦昊 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;H01F6/00;H01F6/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种新型准二维硒掺杂含碲超导材料及其制备方法,从属于功能材料制造技术领域。该种新型准二维硒掺杂含碲超导材料的化学通式为CuIr2Te4‑xSex(0.0≤x≤0.5)。本发明使用传统高温固相法,通过将相应化学计量比的高纯度Cu,Ir,Te和Se粉末(纯度≥99.9%)充分研磨后放在石英管中,随后抽真空并将其密封,把密封的装有原材料的石英管放入炉于中,在850℃烧结120h,得到CuIr2Te4‑xSex(0.0≤x≤0.5)的多晶粉末。将多晶粉末充分研磨后进行压片,将片状样品放入真空密封的石英管中,以850℃烧结240h,得到片状CuIr2Te4‑xSex(0.0≤x≤0.5)样品。使用综合物理性能测试系统(PPMS),通过测量样品的电导率、磁性性质、比热容等物理性质的低温表现,最终确定目标产物具有超导电性。
搜索关键词: 一种 新型 二维 掺杂 超导 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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