[发明专利]高Latch up能力的失效安全IO电路在审
| 申请号： | 202110346098.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN112952789A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吕斌;何军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高Latch up能力的失效安全IO电路，包含一失效安全IO基础电路以及一分压电阻R1；所述的失效安全IO基础电路包含有第一及第二控制端输入接口，从外界通过所述第一及第二控制端输入接口分别输入第一及第二控制信号，以控制所述电路的工作；所述的失效安全IO基础电路还包含有一PAD端，所述PAD端为信号电流通道；所述的失效安全IO基础电路的电源正极端通过电阻R1接到外部电源上。在电路正常工作时，较小的驱动电流在分压电阻上形成的压降极小，不影响电路的正常工作；当假定Latch up发生时，大的Latch up保持电流在分压电阻上产生的压降使得寄生SCR的源端电压低于Latch up的保持电压，从而抑制了Latch up的发生。 | ||
| 搜索关键词： | latch up 能力 失效 安全 io 电路 | ||
【主权项】：
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