[发明专利]一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110346884.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113035959A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 徐守一;赖银坤;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 杨泽奇 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管及其制备方法，其中集成肖特基二极管的碳化硅场效应管包括衬底层和外延层，外延层背离衬底层的一侧具有栅极沟槽，栅极沟槽内具有栅极氧化层以及栅电极层，还包括与栅极介质层顶部相连的栅极；外延层中紧贴栅极沟槽的两侧具有P‑well阱区，P‑well阱区顶部具有源极接触N+区域；还包括设于外延层上表面的肖特基金属层。本发明通过在紧贴栅极沟槽处设置P‑well阱区，与现有技术相比，节省P‑well空间、提高器件整体的功率密度进而降低成本。此外通过设置肖特基金属层将SBD集成在本发明中，结合SBD和SiC‑MOS的优点，可以有效降低MOS的反向恢复电荷，提升反向开关特性及减少开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 碳化硅 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯达茂微电子有限公司，未经厦门芯达茂微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110346884.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
