[发明专利]半导体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110347256.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114023813A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈冠廷;张书通;李敏鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其形成方法，该方法包括：在基板之上形成界面层；在界面层之上形成准反铁电层，其中形成准反铁电层包含执行原子层沉积(ALD)循环，且原子层沉积循环包括：执行第一子循环X次，其中第一子循环包含提供含Zr前驱物；执行第二子循环Y次，其中第二子循环包含提供含Hf前驱物；及执行第三子循环Z次，其中第三子循环包含提供含Zr前驱物，且其中X+Z为Y的至少三倍；及在准反铁电层之上形成栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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