[发明专利]氮化物半导体基板的制备方法有效
| 申请号： | 202110347280.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113241301B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;管云芳;莫炜静;刘斌芝 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;H01L33/00;H01L33/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 田丽丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体基板的制备方法，包括以下过程：提供氮化物半导体基材，所述氮化物半导体基材包括衬底材料层和形成于所述衬底材料层上方的氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上形成牺牲层，且所述牺牲层的表面具有纳米孔隙结构；用第一刻蚀剂刻蚀所述牺牲层，直至到达位于所述牺牲层下方的所述氮化物半导体层界面，进入所述纳米孔隙结构的所述第一刻蚀剂优先到达所述氮化物半导体层界面处，并与所述氮化物半导体层反应生成纳米颗粒残留在所述氮化物半导体层界面处；以所述纳米颗粒为掩模，刻蚀所述氮化物半导体层，形成纳米柱阵列。本发明工艺流程短，生产耗时少。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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