[发明专利]一种功率半导体器件、封装结构及电子设备在审
| 申请号： | 202110347525.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113257888A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 侯召政;高云斌;王弋宇;胡飞 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 潘平 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种功率半导体器件、封装结构及电子设备，用以减小功率半导体器件失效的风险。功率半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底掺杂有第一类型杂质；外延层，外延层掺杂有第一类型杂质，外延层设置于半导体衬底的一面，外延层背离半导体衬底的第一面设置有掺杂第二类型杂质的第一掺杂区，且外延层的第一面的周侧边缘具有划片道区；第一金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第一金属层与外延层电性连接；第二金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第二金属层位于第一金属层的边缘与划片道区之间的环形区域内；钝化层，钝化层为环形结构，钝化层覆盖第二金属层及部分第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 封装 结构 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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