[发明专利]一种晶圆级绝对单层过渡金属硫族化合物的制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种晶圆级绝对单层过渡金属硫族化合物的制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)对蓝宝石基底进行第一次退火处理，得到具有原子级平整表面的蓝宝石基底；(2)在步骤(1)得到的蓝宝石基底的原子级平整表面上加载过渡金属盐溶液，进行第二次退火处理，得到加载单分散过渡金属源的蓝宝石基底；(3)在所述加载单分散过渡金属源的蓝宝石基底上通过化学气相沉积的方法生长过渡金属硫族化合物。本发明提供的方法制备得到的二维材料为绝对单层，可实现晶圆级(两英寸、四英寸、八英寸、十二英寸)蓝宝石衬底上的批量制备，其晶体质量高、单晶尺寸大，且操作简单、成本低、易于工业化。