[发明专利]一种二氧化铪基纳米铁电薄膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110349577.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113241407A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张昱;史文涛;袁龙飞;杨芬芬 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L29/94;H01L27/11507;C23C18/12;C23C14/35;C23C14/04;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙) 11670 | 代理人： | 潘卫锋 |
| 地址： | 563006 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种二氧化铪基纳米铁电薄膜的制备方法及应用，涉及电薄膜制备技术领域，包括S1：前驱体溶液一制备、S2：前驱体溶液三配制、S3：二氧化铪基纳米铁电薄膜制备、S4：检测与分析，本发明所制备的HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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