[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110350009.5 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097068A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;刘敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底具有损伤层；至少进行1次去除损伤层步骤，以去除损伤层；去除损伤层步骤，包括：于第一元素单质气体氛围中对衬底的损伤层处进行激光退火处理，以使第一元素单质气体与损伤层反应生成含第一元素的化合物层；去除化合物层。解决了现有技术中衬底上具有损伤层的技术问题，实现了提高衬底背面欧姆接触性能和可靠性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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