[发明专利]GaN器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110350296.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097291B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 马飞;邹鹏辉;左亚丽;朱伟超 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件结构及制备方法，制备包括：在衬底上制备GaN沟道层及初始势垒层，制备栅区辅助结构，制备掺杂势垒复合结构及栅极台阶辅助复合结构，栅极台阶辅助复合结构呈台阶状贯穿在掺杂势垒复合结构中，各级栅极台阶辅助结构沿栅极区域指向漏极电极方向逐渐上升，去除栅区辅助结构及栅极台阶辅助复合结构，制备源极电极及漏极电极，制备栅极复合结构。本发明通过引入掺杂势垒复合结构，并基于栅区辅助结构和栅极台阶辅助结构，通过多次选择性外延，可以改善掺杂浓度，实现低欧姆接触电极，并通过设计阶梯型栅极及栅极场板，还可以进一步同时设计阶梯型漏极场板，控制2DEG浓度，避免了刻蚀工艺造成的损伤，可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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