[发明专利]一种半导体器件散热结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110350442.9 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN112802811B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵卫东;惠利省;李靖;卢乐;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L23/46;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件散热结构及其制备方法，半导体器件散热结构包括复合壳体和设置在复合壳体内的热管，复合壳体包括由吸热材料层、过渡材料层和散热材料层依次叠置形成的一体结构，过渡材料层是由吸热材料层和散热材料层的原子相互扩散形成的，在复合壳体位于吸热材料层一侧的表面开设有器件安装部，器件安装部的底面用于设置半导体器件，在散热材料层内形成有用于流通冷却介质的空腔，复合壳体与热管的管壁为一体结构，热管位于器件安装部的底面相背的一侧朝向空腔内延伸。半导体器件散热结构呈一体结构，没有热阻较高的接触界面，多种散热手段能够快速的将半导体器件产生的热量散出，没有增加半导体器件散热结构的体积，能够实现小型化器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 散热 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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