[发明专利]一种耐高压芯片的制造方法、制造设备和耐高压芯片在审
| 申请号： | 202110351044.9 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113178388A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王超;任宏志 | 申请（专利权）人： | 青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/223;H01L21/67;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 266200 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种耐高压芯片的制造方法、制造设备和耐高压芯片，所述制造方法包括步骤：将高压扩散片进行蚀刻；通过控制第一参数组中的参数比例，以在所述高压扩散片表面沉积形成预设膜厚的半绝缘多晶硅膜；采用具有所述预设膜厚的半绝缘多晶硅膜的高压扩散片以制备得到耐高压芯片；其中，所述预设膜厚的值大于或等于12000埃米；通过形成预设膜厚的半绝缘多晶硅膜，以提升膜厚的方式，增加半绝缘多晶硅膜的耐压能力，在大大优化半绝缘多晶硅膜特性的同时，不影响生产效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 芯片 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司，未经青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110351044.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
