[发明专利]一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片有效
| 申请号： | 202110351049.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113223944B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王超;任宏志 | 申请（专利权）人： | 青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/329;H01L29/861;H01J37/317 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 266200 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片，所述制造方法包括步骤：使用磷源对硅片进行磷扩散，以在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层；使用硼源对所述硅片进行硼扩散，以在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；通过所述硼扩散结构层的表面进行铂离子注入，以实现铂扩散；在一预设的温度范围内进行铂深扩散；采用经过所述铂深扩散后的硅片制备得到快恢复芯片；通过离子注入的方式进行铂扩散，即注入铂离子至硼扩散结构层，进行铂扩散，使得铂扩散更加均匀，防止铂分布不均匀破坏硅片的原来结构，同时提高快恢复芯片的恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 芯片 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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