[发明专利]一种半导体HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110351290.4 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097163B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;林峰;陈勇;利健;黎晓华;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳市红与蓝企业管理中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/00;H01L29/778;H01L21/335;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体HEMT器件及其制造方法。半导体HEMT器件包括：衬底基板；导热层，导热层位于衬底基板一侧的表面；导热层包括：间隔设置的多个支持结构和导热结构，支持结构位于衬底基板的一侧表面；导热结构位于衬底基板上与支持结构同侧的表面，导热结构填充多个支持结构之间的空隙；绝缘层，绝缘层覆盖导热结构背向衬底基板一侧的表面，绝缘层还覆盖多个支持结构背向衬底基板一侧的表面；导热结构为碳薄膜。本发明的半导体HEMT器件通过导热层的设置可以减少器件因热失配导致应力集中，减少器件开裂的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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