[发明专利]一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110351306.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097308B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姚佳飞;顾鸣远;郭宇锋;李曼;梁其聪 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 罗运红 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括：衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙，以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层，其特征在于：所述负电容铁电层由第一铁电层和第二铁电层拼接而成，所述第一铁电层和所述第二铁电层的铁电材料不同，使得栅极不同材料的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大，对栅极电压放大作用具有更好的控制能力，同时不同材料铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率，亚阈值斜率可以低于理论极限值60mV/dec，因此提升了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 材料 铁电层 电容 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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