[发明专利]一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法有效
申请号: | 202110354218.7 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113066891B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李欣;李芸;王徐;蒋成伟;沙源清;王永进 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L31/173 | 分类号: | H01L31/173;H01L31/0232;H01L31/18;G01N21/41 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 蒋慧妮 |
地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法,所述芯片以晶圆为载体,所述晶圆上设置有发光二极管器件,所述发光二极管器件的出光端依次设置有调节组件及光电探测器,所述调节组件由多波导型定向耦合器及与置于所述多波导型定向耦合器上方,且与所述多波导型定向耦合器垂直相交的聚二甲基硅氧烷微流体通道构成。本发明采用以上技术方案与现有技术相比,产生的有益效果为:可以有效且快速的监测出待测液体的折射率等物理参数。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 波导 定向耦合器 集成 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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