[发明专利]铝碳化硅热沉基板制备方法及铝碳化硅热沉基板有效
| 申请号： | 202110354276.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097153B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 何岚;景文甲;刘磊;汪震;何娟 | 申请（专利权）人： | 珠海亿特立新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/373;B22D23/04;C04B35/565;C04B35/634;C04B35/636 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 牛丽霞 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铝碳化硅热沉基板制备方法，制备碳化硅粉料和胶体，将碳化硅粉料加至胶体中进行造粒，采用热等静压方式，对造粒粉施加设定压力和温度，经过设定保压烧结时间后得到碳化硅陶瓷预制体；采用真空压力溶渗法，将碳化硅陶瓷预制体放入浸渗炉中，在真空环境下施加高压惰性气体，在碳化硅陶瓷预制体表面浸渗铝合金溶液，得到铝碳化硅铸件；通过超声波振动切削进行机加，再表面金属化镀覆处理，得到铝碳化硅热沉基板。本发明还提供一种由上述铝碳化硅热沉基板制备方法制得的铝碳化硅热沉基板。本发明通过热等静压、真空压力溶渗、超声波振动切削机加、表面金属化镀覆处理，提高了铝碳化硅热沉基板的体积分数、致密度、热导率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 热沉基板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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