[发明专利]一种单晶硅制备方法及装置有效
| 申请号： | 202110354816.4 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112795979B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 欧子杨;尚伟泽;张昕宇;白枭龙 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 钱娴静 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及光伏领域，提供一种单晶硅制备方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中，重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部，掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上；将坩埚置于单晶炉内，对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体，并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂，得到硅熔体，控制重掺杂硅原料不熔化；当硅熔体温度稳定后，将晶种浸入硅熔体中，之后依次进行引晶，放肩，等径生长阶段，其中，在等径生长过程中，由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料，使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中以实现再次掺杂。本申请的单晶硅制备方法及装置，降低单晶硅含氧量，提高硅棒电阻率集中度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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