[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110354871.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097298A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘江;高明超;李立 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/45;H01L29/10;H01L23/48;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，绝缘栅双极型晶体管包括：半导体层，半导体层包括漂移区和位于漂移区顶部的阱区；栅极结构，栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中，栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；发射掺杂区，位于栅极结构的第一侧的阱区中部分顶部区域且与栅极结构邻接，发射掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反；所述栅极结构的第二侧的部分阱区中的凹槽；位于凹槽底部阱区中的欧姆接触区，欧姆接触区与栅极结构的第二侧的部分侧壁接触，欧姆接触区的导电类型和阱区的导电类型相同。绝缘栅双极型晶体管在保证阈值电压较小的同时能增强抗栓锁效应的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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