[发明专利]基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法在审

专利信息
申请号: 202110355528.0 申请日: 2021-04-01
公开(公告)号: CN114063383A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 金禹成;姜旻澈;沈宇宙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F1/70 分类号: G03F1/70
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括:通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像;通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像;基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中第二图像对应于所述第一图像;以及基于深度学习,在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。
搜索关键词: 基于 深度 学习 掩模上 形成 形状 方法 以及 使用 制造
【主权项】:
暂无信息
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